産業装置

JSWアフティ株式会社（日本）

JSWアフティ株式会社は、「ECR装置」、「ALD装置」及び「アニール装置」の製造・販売事業及びこれら装置のアフターサービス事業について、MESアフティ株式会社から事業を引き継ぎ、2014年4月より株式会社日本製鋼所のグループとして新たにスタートしました。
開発から製造販売、アフターサービスまでを一貫して、よりいっそうお客様の価値創造に貢献いたします。

DEX-6400C

ALD-ECR Hybrid System ALD-ECR複合成膜装置

高密度・高活性な気相反応による究極のECRプラズマと表面反応を追求した極限的なCVDともいえるALDを、1つのシステムとすることで、どちらか一方または両方の機能を使用したプロセスが可能となりました。
ECR・ALDとも耐圧特性などの膜質に優れており、MOS界面制御にはECRプラズマが、また厳しいカバレッジに対する要求にはALDがその特徴を発揮します。
今回開発した装置では、ECRによる表面処理・成膜の後にALD膜を形成するなど、In-situでの連続処理が可能となりました。最大φ4インチ基板に対応できます。

aFTeX-9800

固体ソースECRプラズマ成膜装置

固体ソースECRプラズマ成膜装置は、低温・低ダメージ・超薄膜形成を実現できることから、100台以上の装置が生産現場で稼働しております。
このたび生産にたずさわる方々からの強い要望にお応えするため、基板サイズ8インチ、ECRプラズマ源最大3基搭載のAFTEX9800を開発し、リリースいたしました。本装置はECRプラズマを3基同時に起て、成膜することができるため生産性を大幅に向上することに成功しました。また、新設計により成膜モジュールを約30%小型化し設置スペースを大幅に改善しました。
さらに装置内に新規開発の分光器（オプション）を搭載し、膜厚、屈折率分散等の測定もできるようになりました。

aFTeX-6200

固体ソースECRプラズマ成膜装置

固体ソースECR（Electron Cyclotron Resonance）プラズマ成膜装置は、低圧で高密度のECRプラズマ流と、プラズマ流の出口に配置した固体ソース（ターゲット）からのスパッタ粒子を直接反応させることにより、低温・低ダメージで高品質の薄膜を形成します。AFTEX-6200は、圧倒的なご支持をいただいた6000系の基本性能（ECRプラズマ源2基、全自動搬送・成膜）を踏襲しつつ、ハード並びにソフトを改良し操作性、信頼性を大幅に向上させました。特に電装系は一新され、エラーの詳細表示、レシピバックアップ機能等が追加されました。また、成膜室に新規開発の分光器（オプション）を搭載し、膜厚、屈折率分散等が測定できるようになりました。

aFTeX-2300

研究開発用新装置

薄膜研究にたずさわる方々からの強い要望にお応えするため、お求めやすい価格のAFTEX-2300を開発いたしました。
低価格ながらマイクロ波分岐結合型ECRイオン源を搭載するとともに、ロードロック機構、ターボ分子ポンプを装備した高性能機です。酸化物、窒化物などの薄膜研究に最適な装置です。

マイクロ波導入窓への膜付着を防ぎ、長期安定稼働を実現した分岐結合型ECRプラズマ源搭載
固体ソースからのスパッタ粒子と低エネルギー・大電流のECRプラズマ流（酸素、窒素等）を直接反応させるため、排ガス処理不要の環境適応装置
成膜室の主排気はターボ分子ポンプを採用するとともに、ロードロック機構の採用によりクリーンな成膜環境を実現
真空排気はシーケンスが自動化され、各種インターロック機構採用

＜オプション＞

DCスパッタ
基板加熱
基板バイアス
マイクロ波オートチューナ

住友重機械工業株式会社（日本）

同社は最先端の精密機械から造船、プラント、エネルギ－･環境関連、更には医療分野で広く世界中に展開する総合機械メーカです。メカトロニクス事業部では、低炭素社会実現のキーデバイスとされる“パワー半導体”の製造工程で採用される「レーザアニーリング装置」を設計、製造しています。

Si向けレーザアニーリング装置　型式：SWA-90GDA

固体レーザダブルパルス方式に長波長レーザを加えた2波長アニール
深さ7μmまでの活性化
パルスエネルギー安定性：＞1%
表面側（パターン）への熱影響無しに裏面加工が可能：＞100℃
70μm薄ウェハのハンドリング

SiC向けレーザアニーリング装置　型式：SWA-20US

ハイスループット
トップハットビームによるウェハ全面の均一照射
雰囲気制御

株式会社ケミトロニクス（日本）

株式会社ケミトロニクスは、日本国内の各機関における豊富な納入実績を有し、とりわけレーザーダイオード（LD）等の化合物半導体向け用途での強みを持っております。昨今ではVCSEL用途に注力しております。

高温オーミックアロイ装置（OS-5500HT）

ワイドバンドギャップ半導体対応
長年の実績を持つ化合物半導体用オーミックアロイ装置（OS-3500シリーズ）を基に、ワイドバンドギャップ半導体デバイスに対応できるように開発されました。

株式会社エイ・エス・エイ・ピイ（日本）

エイ・エス・エイ・ピイ社は、シリコン半導体と併せて、化合物半導体、マイクロマシンへの対応にも注力しております。
化合物半導体に要求される省スペース化やハンドリングの安定性、またマイクロマシンに要求されるような高粘度薬液への対応等、カスタマイズ要素が多い装置を提供しています。お客様のニーズにあった装置を提供しています。

高圧ジェットスプレー型リフトオフ装置

φ6インチ用装置をベースに搬送用治具のみを変更して、φ2インチ用装置を制作した場合に比べ、φ2インチ用にカスタム設計することにより占有面積50%軽減（同社比）

レジストコータ / デベロッパ

フォトレジスト、ポリイミド、OCD、PBFの塗布・現像からのベーキング処理を全自動に処理します。ユニット間搬送は高信頼性のウエーハ搬送ロボットを使用します。エッジリンスやバックリンス等の各種洗浄機能を搭載しており、HMDSの蒸気置換ユニットの搭載も可能です。
φ2～4インチの化合物基板向けに特化した、省スペースタイプも提供しています。

株式会社オプト・システム（日本）

株式会社オプト・システムは、昭和55 年（1980 年）の創立以来、光半導体（受光・発光素子）の開発・量産に関わる検査装置及び加工機を主力製品として設計製作・販売してきました。お客様のニーズに応えたカスタム製品を受注製作し、国内外のお客様から品質、コストパフォーマンスの高さを評価されております。特にこの度、高輝度LED 用の最新型のレーザースクライバー装置を商品化しました。独自の光源及び加工法を採用し、パーティクルやデブリ発生を抑止し、高速でチップ化加工を実現いたします。

レーザースクライバー　Model：WSF4200X

本装置はピコ秒レーザーにてウェハをチップ化するための装置です。
従来の加工法とは異なる特殊な方法を採用しております。（特許出願中）

JSWアフティ株式会社（日本）

ALD（Atomic Layer Deposition / 原子層堆積）装置

原子層堆積法は、プリカーサーにより供給された分子を原子一層ごとに表面へ吸着、不活性ガスでのパージによる余剰分子除去、反応ガスによる成膜、不活性ガスでのパージによる余剰分子除去のサイクルを繰返し行うことで、原子層を一層ずつ積み上げます。
反応による成膜過程において、表面化学反応のセルフ-リミッティング機能が作用するため、原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能になり、高品質な薄膜で膜厚均一性、膜厚制御性、段差被膜性に優れた成膜が可能です。プラズマ専用タイプ、ウェハプロセス用研究装置から大型基板対応装置まで、多彩な構成から選択可能です。
装置仕様は大きく2つに分かれ、研究開発に最適な150mmΦまでの基板に対応可能なタイプと、370mm×470mmタイプがあり、ご希望に応じて提案が可能です。
また、デモ機を保有しておりますので、サンプル処理等何なりとご相談ください。

アニール装置

液晶分野をはじめとする、FPD（Flat Panel Display）製造工程のフィールドでは、より高度な技術進歩が追求されており、ますます高機能、高品質、安全性が求められています。
JSWアフティでは、長年にわたって培った技術のノウハウと、テクノロジーの追求により品質の高い生産システムの提案、ニーズにお応えした生産装置を設計から立上げまでの一貫したシステムで、高レベルの装置を提供しており、すでに量産ラインに多くの実績を有しています。
イオン注入装置同様、昨今の中小型ディスプレイ市場の活況を受け、G5.5（1,300mm×1,500mm）、G6（1,500mm×1,850mm）対応装置も開発中です。
また、730mm×920mm基板対応デモ機を保有しておりますので、サンプル処理等何なりとご相談ください。

三井E&Sマシナリー（日本）

当社取扱いの旧三井造船株式会社の「イオン注入装置」の製造・販売事業及びアフターサービス事業につきましては、2018年4月1日をもって株式会社三井E&Sマシナリーに引き継がれました。

FPD用イオン注入装置

FPD用イオン注入装置は世界初、半導体製造装置用イオン注入技術を転用したFPD用のイオン注入装置です。
短時間でのビームの切り替えが行え、安定性の高いビームを効率よく立ち上げることが可能です。
また、各種（クロス、メタル、エネルギー）コンタミレスとパーティクルフリーの達成により高純度なイオン注入を広いドーズ範囲で大面積に均一に行えます。
また、昨今の中小型ディスプレイ市場の状況を受け、G5.5（1,300mm×1,500mm）対応の実績もあり、さらにG6（1,500mm×1,850mm）対応装置も開発中です。
730mm×920mm基板対応のデモ機を保有しておりますので、実際にご覧いただくことができます。また、サンプル処理等何なりとご相談ください。

株式会社ワイエイシイデンコー（日本）

平成24年1月1日株式会社デンコーは株式会社ワイエイシイデンコーに社名を変更いたしました。
1961年（昭和36年）に国際熱処理工業株式会社として設立し、当初は電気ヒータを熱源とした各種金属の熱処理炉の製造および販売を主たる業務として事業を展開していました。エネルギー授受の基となる遠赤外線による熱処理の独自技術と長年のノウハウを活かし、電子産業分野において広く貢献しております。
技術コアである、遠赤外線による熱処理技術は、均等かつ高精度な熱処理方法として産業界から注目されています。また、第二および第三の技術コアとして、気流制御技術やクリーン化技術を高めており、非接触のクリーンな熱源である遠赤外線処理と共に、パーティクル（微粒子状のゴミ）を嫌う精密部品に利用されています。

FPD用縦型熱処理装置

枚葉多段式加熱装置です。
LCD生産に於けるArrey工程、Cell工程、Panel工程の各種加熱プロセス装置において歩留まり向上に寄与しています。

ベルト搬送炉

安定した雰囲気コントロールとマイルドな雰囲気加熱により、プロセス応用用途が広い。フレキシブルな構造のラジアントパッドヒータをマッフルと密着させることにより、大幅に消費電力を低減します。
バーンアウト部から排出された昇華物はベルト駆動方向と逆の流れを取り、ファイアリングゾーンへは汚れたガスが逆流しない構造です。