JSWアフティ株式会社(日本)

JSWアフティ株式会社は、「ECR装置」、「ALD装置」及び「アニール装置」の製造・販売事業及びこれら装置のアフターサービス事業について、MESアフティ株式会社から事業を引き継ぎ、2014年4月より株式会社日本製鋼所のグループとして新たにスタートしました。
開発から製造販売、アフターサービスまでを一貫して、よりいっそうお客様の価値創造に貢献いたします。
DEX-6400C

ALD-ECR Hybrid System ALD-ECR複合成膜装置
高密度・高活性な気相反応による究極のECRプラズマと表面反応を追求した極限的なCVDともいえるALDを、1つのシステムとすることで、どちらか一方または両方の機能を使用したプロセスが可能となりました。
ECR・ALDとも耐圧特性などの膜質に優れており、MOS界面制御にはECRプラズマが、また厳しいカバレッジに対する要求にはALDがその特徴を発揮します。
今回開発した装置では、ECRによる表面処理・成膜の後にALD膜を形成するなど、In-situでの連続処理が可能となりました。最大φ4インチ基板に対応できます。
aFTeX-9800

固体ソースECRプラズマ成膜装置
固体ソースECRプラズマ成膜装置は、低温・低ダメージ・超薄膜形成を実現できることから、100台以上の装置が生産現場で稼働しております。
このたび生産にたずさわる方々からの強い要望にお応えするため、基板サイズ8インチ、ECRプラズマ源最大3基搭載のAFTEX9800を開発し、リリースいたしました。本装置はECRプラズマを3基同時に起て、成膜することができるため生産性を大幅に向上することに成功しました。また、新設計により成膜モジュールを約30%小型化し設置スペースを大幅に改善しました。
さらに装置内に新規開発の分光器(オプション)を搭載し、膜厚、屈折率分散等の測定もできるようになりました。
aFTeX-6200

固体ソースECRプラズマ成膜装置
固体ソースECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ成膜装置は、低圧で高密度のECRプラズマ流と、プラズマ流の出口に配置した固体ソース(ターゲット)からのスパッタ粒子を直接反応させることにより、低温・低ダメージで高品質の薄膜を形成します。AFTEX-6200は、圧倒的なご支持をいただいた6000系の基本性能(ECRプラズマ源2基、全自動搬送・成膜)を踏襲しつつ、ハード並びにソフトを改良し操作性、信頼性を大幅に向上させました。特に電装系は一新され、エラーの詳細表示、レシピバックアップ機能等が追加されました。また、成膜室に新規開発の分光器(オプション)を搭載し、膜厚、屈折率分散等が測定できるようになりました。
aFTeX-2300

研究開発用新装置
薄膜研究にたずさわる方々からの強い要望にお応えするため、お求めやすい価格のAFTEX-2300を開発いたしました。
低価格ながらマイクロ波分岐結合型ECRイオン源を搭載するとともに、ロードロック機構、ターボ分子ポンプを装備した高性能機です。酸化物、窒化物などの薄膜研究に最適な装置です。
- マイクロ波導入窓への膜付着を防ぎ、長期安定稼働を実現した分岐結合型ECRプラズマ源搭載
- 固体ソースからのスパッタ粒子と低エネルギー・大電流のECRプラズマ流(酸素、窒素等)を直接反応させるため、排ガス処理不要の環境適応装置
- 成膜室の主排気はターボ分子ポンプを採用するとともに、ロードロック機構の採用によりクリーンな成膜環境を実現
- 真空排気はシーケンスが自動化され、各種インターロック機構採用
<オプション>
- DCスパッタ
- 基板加熱
- 基板バイアス
- マイクロ波オートチューナ
ALD(Atomic Layer Deposition / 原子層堆積)装置

原子層堆積法は、プリカーサーにより供給された分子を原子一層ごとに表面へ吸着、不活性ガスでのパージによる余剰分子除去、反応ガスによる成膜、不活性ガスでのパージによる余剰分子除去のサイクルを繰返し行うことで、原子層を一層ずつ積み上げます。
反応による成膜過程において、表面化学反応のセルフ-リミッティング機能が作用するため、原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能になり、高品質な薄膜で膜厚均一性、膜厚制御性、段差被膜性に優れた成膜が可能です。プラズマ専用タイプ、ウェハプロセス用研究装置から大型基板対応装置まで、多彩な構成から選択可能です。
装置仕様は大きく2つに分かれ、研究開発に最適な150mmΦまでの基板に対応可能なタイプと、370mm×470mmタイプがあり、ご希望に応じて提案が可能です。
また、デモ機を保有しておりますので、サンプル処理等何なりとご相談ください。
株式会社オプト・システム(日本)

株式会社オプト・システムは、昭和55 年(1980 年)の創立以来、光半導体(受光・発光素子)の開発・量産に関わる検査装置及び加工機を主力製品として 設計製作・販売してきました。お客様のニーズに応えたカスタム製品を受注製作し、国内外のお客様から品質、コストパフォーマンスの高さを評価されております。 特にこの度、高輝度LED 用の最新型のレーザースクライバー装置を商品化しました。独自の光源及び加工法を採用し、パーティクルやデブリ発生を抑止し、 高速でチップ化加工を実現いたします。
レーザースクライバー Model:WSF4200X

本装置はピコ秒レーザーにてウェハをチップ化するための装置です。
従来の加工法とは異なる特殊な方法を採用しております。(特許出願中)